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文献
J-GLOBAL ID：201702266705312553
整理番号：17A0637804
電子ビーム蒸発器により成長させたY2O3酸化物絶縁体を用いたエンハンスメントモード水素化ダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)
Enhancement-mode hydrogenated diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with Y2O3 oxide insulator grown by electron beam evaporator
Liu J. W.
(Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Oosato H.
(Nanofabrication Platform, NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan)
,
Liao M. Y.
(Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Koide Y.
(Research Network and Facility Services Division, NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 20 ページ： 203502-203502-5 発行年： 2017年05月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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