文献
J-GLOBAL ID:201702266736711064
整理番号:17A1347668
強誘電体増強Aluminum-Hafnium-Chromium-アルミニウムオキシドの統合低電圧と高速ニオブヘテロ構造抵抗スイッチングメモリ素子【Powered by NICT】
Low Voltage and High-Speed Niobium Heterostructure Resistance Switching Memory Devices Integrating Ferro-Electric Enhanced Aluminum-Hafnium-Chromium-Aluminum Oxide
著者 (6件):
Lerum Lance
(SPAWAR Systems Center Pacific, San Diego, CA, USA)
,
Fahem Mohammed
(SPAWAR Systems Center Pacific, San Diego, CA, USA)
,
Nayfeh Osama M.
(SPAWAR Systems Center Pacific, San Diego, CA, USA)
,
Rees C. Dave
(SPAWAR Systems Center Pacific, San Diego, CA, USA)
,
Simonsen Kenneth S.
(SPAWAR Systems Center Pacific, San Diego, CA, USA)
,
Ramirez Ayax D.
(SPAWAR Systems Center Pacific, San Diego, CA, USA)
資料名:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻:
5
号:
5
ページ:
347-361
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2429A
ISSN:
2168-6734
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)