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文献
J-GLOBAL ID：201702266792791391
整理番号：17A1007072
近似分子モデルに基づくab initio分子軌道計算を用いるレジスト研究法
Resist Investigation Method using ab initio MO Calculation on basis of Approximation Molecular Model
Nagata Shohei
(Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo)
,
Niihara Shota
(Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo)
,
Harada Tetsuo
(Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo)
,
Watanabe Takeo
(Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo)
資料名：
Journal of Photopolymer Science and Technology
(Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 30 号： 5 ページ： 583-589(J-STAGE) 発行年： 2017年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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