文献
J-GLOBAL ID:201702266800915687
整理番号:17A1537622
トリフェニルアミンで修飾された非貴金属コバルト(II)ビス-テルピリジン錯体に基づく抵抗メモリ素子【Powered by NICT】
Resistive memory devices based on a triphenylamine-decorated non-precious cobalt(ii) bis-terpyridine complex
著者 (5件):
Tang Jian-Hong
(CAS Key Laboratory of Photochemistry, CAS Research/Education Centre for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China. zhongyuwu@iccas.ac.cn)
,
Sun Tian-Ge
,
Shao Jiang-Yang
,
Gong Zhong-Liang
,
Zhong Yu-Wu
資料名:
Chemical Communications
(Chemical Communications)
巻:
53
号:
87
ページ:
11925-11928
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0376B
ISSN:
1359-7345
CODEN:
CHCOFS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)