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文献
J-GLOBAL ID：201702266920301783
整理番号：17A0402535
MEMS応用のための新しいAu/Bi_0.7Dy_0 3FeO_3/ZnO/p-Si薄膜MISコンデンサの電気的性質に及ぼす温度効果の観測【Powered by NICT】
Observation of temperature effect on electrical properties of novel Au/Bi0.7Dy0.3FeO3/ZnO/p-Si thin film MIS capacitor for MEMS applications
Bhatia Deepak
(Department of Electrical Engineering and Centre for Excellence in Nanoelectronics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Roy Sandipta
(Centre for Research in Nanotechnology and Science, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Nawaz S.
(Centre for Research in Nanotechnology and Science, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Meena R.S.
(Department of Electronics Engineering, Rajasthan Technical University, Kota 324010, India)
,
Palkar V.R.
(Department of Electrical Engineering and Centre for Excellence in Nanoelectronics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 168 ページ： 55-61 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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