文献
J-GLOBAL ID:201702267047544183
整理番号:17A0390101
表面がナノ結晶化したInドープのZnSb薄膜の熱電特性の改善
Enhanced Thermoelectric Properties of In-Doped ZnSb Thin Film with Surface Nanocrystallization
著者 (8件):
ZHENG Zhuang-hao
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
ZHENG Zhuang-hao
(Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN)
,
FAN Ping
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
LUO Jing-ting
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
LUO Jing-ting
(Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN)
,
LIANG Guang-xing
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
LIANG Guang-xing
(Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN)
,
LIANG Guang-xing
(Univ. Rennes 1, Rennes, FRA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
2
ページ:
1319-1323
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)