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文献
J-GLOBAL ID：201702267047544183
整理番号：17A0390101
表面がナノ結晶化したInドープのZnSb薄膜の熱電特性の改善
Enhanced Thermoelectric Properties of In-Doped ZnSb Thin Film with Surface Nanocrystallization
ZHENG Zhuang-hao
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
ZHENG Zhuang-hao
(Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN)
,
FAN Ping
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
LUO Jing-ting
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
LUO Jing-ting
(Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN)
,
LIANG Guang-xing
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
LIANG Guang-xing
(Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN)
,
LIANG Guang-xing
(Univ. Rennes 1, Rennes, FRA)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 46 号： 2 ページ： 1319-1323 発行年： 2017年02月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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