前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702267207514661
整理番号：17A1125359
C-V測定を用いたNbドープZnO薄膜トランジスタの状態のサブバンドギャップ密度の抽出【Powered by NICT】
Extraction of the sub-band gap density of states of Nb doped ZnO thin film transistors using C-V measurements
Shaw A.
(Department of Electrical Engineering and Electronic, University of Liverpool, L69 3GJ, United Kingdom)
,
Jin J.D.
(Department of Electrical Engineering and Electronic, University of Liverpool, L69 3GJ, United Kingdom)
,
Mitrovic I.Z.
(Department of Electrical Engineering and Electronic, University of Liverpool, L69 3GJ, United Kingdom)
,
Hall S.
(Department of Electrical Engineering and Electronic, University of Liverpool, L69 3GJ, United Kingdom)
,
Wrench J.S.
(Centre for Advanced Materials, University of Liverpool, L69 3GH, United Kingdom)
,
Chalker P.R.
(Centre for Advanced Materials, University of Liverpool, L69 3GH, United Kingdom)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 178 ページ： 213-216 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。