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文献
J-GLOBAL ID：201702267220307002
整理番号：17A1023927
極薄GeOI MOSFETにおける表面粗さ散乱制限された正孔移動度に及ぼす埋込み酸化物の影響の物理ベース評価【Powered by NICT】
Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs
Wang Xiaolei
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Xiang Jinjuan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Han Kai
(Weifang University, Weifang, China)
,
Wang Shengkai
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Luo Jun
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhao Chao
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Ye Tianchun
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Radamson Henry H.
(KTH Royal Institute of Technology, Kista, Sweden)
,
Simoen Eddy
(IMEC, Leuven, Belgium)
,
Wang Wenwu
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 6 ページ： 2611-2616 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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