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文献
J-GLOBAL ID：201702267233166328
整理番号：17A1485631
マグネトロンスパッタリング法で合成したAlN薄膜の残留応力の低減【Powered by NICT】
Reduction of residual stress in AlN thin films synthesized by magnetron sputtering technique
Panda Padmalochan
(Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India)
,
Ramaseshan R.
(Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India)
,
Ravi N.
(Center for Engineered Coatings, ARCI, Hyderabad, 500005, India)
,
Mangamma G.
(Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India)
,
Jose Feby
(Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India)
,
Dash S.
(Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India)
,
Suzuki K.
(Extreme Energy Density Research Institute, Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Japan)
,
Suematsu H.
(Extreme Energy Density Research Institute, Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Japan)
資料名：
Materials Chemistry and Physics
(Materials Chemistry and Physics)
巻： 200 ページ： 78-84 発行年： 2017年
JST資料番号： E0934A ISSN： 0254-0584 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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