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文献
J-GLOBAL ID：201702267267512694
整理番号：17A0444700
n-ZnO nanorod/p GaN直接ボンディングヘテロ接合構造を有するZnO系発光ダイオードからの近紫外エレクトロルミネセンス【Powered by NICT】
Near-ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diodes with n-ZnO nanorod/p-GaN direct-bonding heterojunction structure
Chen Cheng
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Zhang Jun
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Chen Jingwen
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Wang Shuai
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Liang Renli
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Zhang Wei
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Dai Jiangnan
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Chen Changqing
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 189 ページ： 144-147 発行年： 2017年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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