文献
J-GLOBAL ID:201702267388657881
整理番号:17A0021726
しきい値電圧を用いた電力MOSFETのための実時間老化モニタリング【Powered by NICT】
Real-time aging monitoring for power MOSFETs using threshold voltage
著者 (3件):
Lei Ren
(College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China)
,
Qian Shen
(College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China)
,
Chunying Gong
(College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IECON
ページ:
441-446
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)