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文献
J-GLOBAL ID：201702267527414735
整理番号：17A1550676
低温溶液処理したp型ガリウムすず酸化物(GTO)透明半導体薄膜の紫外線支援アニーリング【Powered by NICT】
Ultraviolet-assisted annealing for low-temperature solution-processed p-type gallium tin oxide (GTO) transparent semiconductor thin films
Tsay Chien-Yie
(Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 40724, Taiwan)
,
Liang Shan-Chien
(Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 40724, Taiwan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71 ページ： 441-446 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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