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文献
J-GLOBAL ID：201702267656860429
整理番号：17A0403872
ジisopropylaminosilaneとオゾンを用いたSiO_2薄膜の低温原子層堆積【Powered by NICT】
Low temperature atomic layer deposition of SiO2 thin films using di-isopropylaminosilane and ozone
Lee Young-Soo
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Republic of Korea)
,
Choi Dong-won
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Republic of Korea)
,
Shong Bonggeun
(Department of Chemistry, Chungnam National University, 99 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34134, Republic of Korea)
,
Oh Saeroonter
(Division of Electrical Engineering, Hanyang University, Ansan, Gyeonggi-do 15588, Republic of Korea)
,
Park Jin-Seong
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Republic of Korea)
資料名：
Ceramics International
(Ceramics International)
巻： 43 号： 2 ページ： 2095-2099 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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