文献
J-GLOBAL ID:201702267678626650
整理番号:17A0656697
浸透-カプセル法により合成したMgB2バルク上の3Tクラス捕獲磁場の潜在能力
Potential ability of 3 T-class trapped field on MgB2 bulk surface synthesized by the infiltration-capsule method
著者 (3件):
NAITO Tomoyuki
(Iwate Univ., Morioka, JPN)
,
OGINO Arata
(Iwate Univ., Morioka, JPN)
,
FUJISHIRO Hiroyuki
(Iwate Univ., Morioka, JPN)
資料名:
Superconductor Science and Technology
(Superconductor Science and Technology)
巻:
29
号:
11
ページ:
115003,1-6
発行年:
2016年11月
JST資料番号:
T0607A
ISSN:
0953-2048
CODEN:
SUSTEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)