文献
J-GLOBAL ID:201702267720926530
整理番号:17A1181585
第一原理計算による2次元炭化けい素上の遷移金属原子吸着の電子的および磁気的性質【Powered by NICT】
Electronic and magnetic properties of TM atoms adsorption on 2D silicon carbide by first-principles calculations
著者 (4件):
Luo M.
(Department of Electronic Engineering, Shang Hai Jian Qiao University, Shanghai 201306, P.R. China)
,
Shen Y.H.
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai 200241, P.R. China)
,
Yin T.L.
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai 200241, P.R. China)
,
Yin T.L.
(School of Electronics and Information, Nantong University, Nantong 226019, P.R. China)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
252
ページ:
1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)