文献
J-GLOBAL ID:201702267749423869
整理番号:17A1359787
スマートIoTのための13.72nW/Mbit待機電力をもつ65nm1.0V,1.84nsシリコン上の薄ボックス(SOTB)に埋め込まれたSRAM【Powered by NICT】
A 65 nm 1.0 V 1.84 ns Silicon-on-Thin-Box (SOTB) embedded SRAM with 13.72 nW/Mbit standby power for smart IoT
著者 (8件):
Yabuuchi Makoto
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Nii Koji
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Tanaka Shinji
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Shinozaki Yoshihiro
(Nippon Systemware Co. Ltd., Tokyo, 150-8577, Japan)
,
Yamamoto Yoshiki
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Hasegawa Takumi
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Shinkawata Hiroki
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Kamohara Shiro
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
VLSI Circuits
ページ:
C220-C221
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)