文献
J-GLOBAL ID:201702267810639911
整理番号:17A0375013
選択的に成長させたGaNナノカラム中の酸素関連光ルミネセンス消光:直径への依存性【Powered by NICT】
Oxygen-related photoluminescence quenching in selectively grown GaN nanocolumns: Dependence on diameter
著者 (4件):
Bengoechea-Encabo A.
(ISOM and Departamento Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain)
,
Albert S.
(ISOM and Departamento Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain)
,
Sanchez-Garcia M.A.
(ISOM and Departamento Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain)
,
Calleja E.
(ISOM and Departamento Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
55
ページ:
59-62
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)