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文献
J-GLOBAL ID：201702267861896628
整理番号：17A0697884
低温水溶液法による完全溶液処理金属酸化物薄膜トランジスタ【Powered by NICT】
Fully solution-processed metal oxide thin-film transistors via a low-temperature aqueous route
Xu Wangying
(Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
,
Long Mingzhu
(Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong, China)
,
Zhang Tiankai
(Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong, China)
,
Liang Lingyan
(Division of Functional Materials and Nano Devices, Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
,
Cao Hongtao
(Division of Functional Materials and Nano Devices, Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
,
Zhu Deliang
(Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
,
Xu Jian-Bin
(Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong, China)
資料名：
Ceramics International
(Ceramics International)
巻： 43 号： 8 ページ： 6130-6137 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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