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文献
J-GLOBAL ID：201702267954588062
整理番号：17A1256459
素子回路加齢相関を確立するための広帯域CMOS RF電力増幅器の設計【Powered by NICT】
Design of a Broadband CMOS RF Power Amplifier to establish device-circuit aging correlations
Barajas E.
(Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Polite`cnica de Catalunya (UPC), Campus Nord, Edifici C4, 08034, Barcelona (Spain))
,
Mateo D.
(Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Polite`cnica de Catalunya (UPC), Campus Nord, Edifici C4, 08034, Barcelona (Spain))
,
Aragones X.
(Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Polite`cnica de Catalunya (UPC), Campus Nord, Edifici C4, 08034, Barcelona (Spain))
,
Crespo-Yepes A.
(Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Auto`noma de Barcelona (UAB), Edifici Q, 08193 Bellaterra, (Spain))
,
Rodriguez R.
(Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Auto`noma de Barcelona (UAB), Edifici Q, 08193 Bellaterra, (Spain))
,
Martin-Martinez J.
(Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Auto`noma de Barcelona (UAB), Edifici Q, 08193 Bellaterra, (Spain))
,
Nafria M.
(Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Auto`noma de Barcelona (UAB), Edifici Q, 08193 Bellaterra, (Spain))
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ICMTS ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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