文献
J-GLOBAL ID:201702268037454404
整理番号:17A0132735
原子層堆積法(ALD)で成膜したAl2O3薄膜における局在欠陥状態と電荷捕獲
Localized defect states and charge trapping in atomic layer deposited-Al2O3 films
著者 (3件):
Henkel Karsten
(BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
,
Kot Malgorzata
(BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
,
Schmeisser Dieter
(BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
35
号:
1
ページ:
01B125-01B125-18
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)