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文献
J-GLOBAL ID:201702268037454404   整理番号:17A0132735

原子層堆積法(ALD)で成膜したAl2O3薄膜における局在欠陥状態と電荷捕獲

Localized defect states and charge trapping in atomic layer deposited-Al2O3 films
著者 (3件):
Henkel Karsten
(BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
Kot Malgorzata
(BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
Schmeisser Dieter
(BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

巻: 35  号:ページ: 01B125-01B125-18  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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