文献
J-GLOBAL ID:201702268049024187
整理番号:17A0222440
面内ヘテロ接合の制御された形成による高性能WSe2電界効果トランジスタ
High-Performance WSe2 Field-Effect Transistors via Controlled Formation of In-Plane Heterojunctions
著者 (9件):
LIU Bilu
(Univ. Southern California, California, USA)
,
MA Yuqiang
(Univ. Southern California, California, USA)
,
ZHANG Anyi
(Univ. Southern California, California, USA)
,
CHEN Liang
(Univ. Southern California, California, USA)
,
ABBAS Ahmad N.
(Univ. Southern California, California, USA)
,
LIU Yihang
(Univ. Southern California, California, USA)
,
SHEN Chenfei
(Univ. Southern California, California, USA)
,
WAN Haochuan
(Univ. Southern California, California, USA)
,
ZHOU Chongwu
(Univ. Southern California, California, USA)
資料名:
ACS Nano
(ACS Nano)
巻:
10
号:
5
ページ:
5153-5160
発行年:
2016年05月
JST資料番号:
W2326A
ISSN:
1936-0851
CODEN:
ANCAC3
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)