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文献
J-GLOBAL ID：201702268117131119
整理番号：17A1238006
大口径と小方向偏差を用いたGaN基板の開発【Powered by NICT】
Development of GaN substrate with a large diameter and small orientation deviation
Yoshida Takehiro
(SCIOCS, 880 Isagozawa, Hitachi, Ibaraki, 319-1418, Japan)
,
Imanishi Masayuki
(Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan)
,
Kitamura Toshio
(SCIOCS, 880 Isagozawa, Hitachi, Ibaraki, 319-1418, Japan)
,
Otaka Kenji
(SCIOCS, 880 Isagozawa, Hitachi, Ibaraki, 319-1418, Japan)
,
Imade Mamoru
(Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan)
,
Shibata Masatomo
(SCIOCS, 880 Isagozawa, Hitachi, Ibaraki, 319-1418, Japan)
,
Mori Yusuke
(Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254 号： 8 ページ： null 発行年： 2017年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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