文献
J-GLOBAL ID:201702268221264163
整理番号:17A1439150
二層金属-絶縁体-金属コンデンサのための電界に依存するMaxwell-Wagner界面静電容量のモデル化【Powered by NICT】
Modeling of field dependent Maxwell-Wagner interfacial capacitance for bilayer metal-insulator-metal capacitors
著者 (2件):
Kannadassan D.
(VIT University, Vellore 15, India)
,
Mallick P. S.
(VIT University, Vellore 15, India)
資料名:
Microwave and Optical Technology Letters
(Microwave and Optical Technology Letters)
巻:
59
号:
12
ページ:
2965-2970
発行年:
2017年
JST資料番号:
T0712A
ISSN:
0895-2477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)