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文献
J-GLOBAL ID：201702268249777825
整理番号：17A1271077
DLTSと低周波雑音分光法によるDUWELL構造InAs/InGaAs/GaAsのバンド構造特徴の研究【Powered by NICT】
Investigation of band diagram features of the DUWELL-structure InAs/InGaAs/GaAs by DLTS and low-frequency noise spectroscopy
Litvinov V. G.
(Department of micro- and nanoelectronics, Ryazan State Radio Engineering University (RSREU), Russian Federation)
,
Ermachikhin A. V.
(Department of micro- and nanoelectronics, Ryazan State Radio Engineering University (RSREU), Russian Federation)
,
Kusakin D. S.
(Department of micro- and nanoelectronics, Ryazan State Radio Engineering University (RSREU), Russian Federation)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ICNF ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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