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文献
J-GLOBAL ID：201702268273715364
整理番号：17A0462177
プラズマ分子線エピタキシー法により成長させた,in sutu SiNx誘電膜を有する薄いInN/GaNヘテロ構造の研究
Investigation of thin InN/GaN heterostructures with in situ SiNx dielectric grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Zervos Christos
(Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece and Department of Physics, University of Crete, P.O. Box 2208, GR-71003 Heraklion, Crete, Gree...)
,
Adikimenakis Adam
(Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece and Department of Physics, University of Crete, P.O. Box 2208, GR-71003 Heraklion, Crete, Gree...)
,
Beleniotis Petros
(Department of Physics, University of Crete, P.O. Box 2208, GR-71003 Heraklion, Crete, Greece)
,
Kostopoulos Athanasios
(Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece)
,
Androulidaki Maria
(Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece)
,
Tsagaraki Katerina
(Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece)
,
Kayambaki Maria
(Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece)
,
Konstantinidis George
(Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece)
,
Georgakilas Alexandros
(Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece and Department of Physics, University of Crete, P.O. Box 2208, GR-71003 Heraklion, Crete, Gree...)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 2 ページ： 021210-021210-5 発行年： 2017年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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