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文献
J-GLOBAL ID：201702268317499274
整理番号：17A0524800
希土類元素含有四成分ホイスラー化合物の高分散性スピンギャップレス半導体
Highly-dispersive spin gapless semiconductors in rare-earth-element contained quaternary Heusler compounds
XU Guizhou
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
,
YOU Yurong
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
,
GONG Yuanyuan
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
,
LIU Er
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
,
XU Feng
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
,
WANG Wenhong
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50 号： 10 ページ： 105003,1-6 発行年： 2017年03月15日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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