文献
J-GLOBAL ID:201702268365853611
整理番号:17A0390066
サファイア,Siおよびグラフェン(Cu上)上のMoS2膜のレーザ物理蒸着による成長に対する基板効果
Substrate Effects on Growth of MoS2 Film by Laser Physical Vapor Deposition on Sapphire, Si and Graphene (on Cu)
著者 (3件):
JAGANNADHAM K.
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
CUI J.
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
ZHU Y.
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
2
ページ:
1010-1021
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)