文献
J-GLOBAL ID:201702268409754831
整理番号:17A1646230
非バリスティックSchottky障壁CNTFETのための解析的ドレイン電流モデル【Powered by NICT】
Analytical drain current model for non-ballistic Schottky-Barrier CNTFETs
著者 (3件):
Bejenari Igor
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Department of Electrical and Computer Engineering, Technische Universitat Dresden, 01062 Dresden, Germany)
,
Schroter Michael
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Department of Electrical and Computer Engineering, Technische Universitat Dresden, 01062 Dresden, Germany)
,
Claus Martin
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Department of Electrical and Computer Engineering, Technische Universitat Dresden, 01062 Dresden, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ESSDERC
ページ:
90-93
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)