文献
J-GLOBAL ID:201702268519336263
整理番号:17A0325941
効率的なバンドギャップ工学と高性能(光)エレクトロニクスに向けた組成調節可能な2次元SnSe_2(1 x)S_2x合金【Powered by NICT】
Composition-tunable 2D SnSe2(1-x)S2x alloys towards efficient bandgap engineering and high performance (opto)electronics
著者 (9件):
Wang Yan
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China. zmwei@semi.ac.cn jbli@semi.ac.cn)
,
Le Huang
,
Li Bo
,
Shang Jimin
,
Xia Congxin
,
Fan Chao
,
Deng Hui-Xiong
,
Wei Zhongming
,
Li Jingbo
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
1
ページ:
84-90
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)