文献
J-GLOBAL ID:201702268564649368
整理番号:17A0965718
記憶過程におけるシリコンエッチプロセスの研究【Powered by NICT】
A study of silicon etch process in memory process
著者 (3件):
Rong-Yao Chang
(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, China 201203)
,
Yi-Ying Zhang
(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, China 201203)
,
Hai-Yang Zhang
(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, China 201203)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
CSTIC
ページ:
1-3
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)