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文献
J-GLOBAL ID：201702268599196318
整理番号：17A0462171
窒素取り込みによるGe-Ga-In-O半導体の持続性光電導の低減
Reduction of persistent photoconduction in Ge-Ga-In-O semiconductors by the incorporation of nitrogen
Lee Hyun-Mo
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 133-719, South Korea)
,
Ok Kyung-Chul
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 133-719, South Korea)
,
Jeong Hyun-Jun
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 133-719, South Korea)
,
Park Jin-Seong
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 133-719, South Korea)
,
Lim Junhyung
(Display Research and Development Center, Samsung Display Company, Ltd., Yongin 444-711, South Korea)
,
Park Jozeph
(Department of Materials Science and Engineering, KAIST, 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141, South Korea)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 2 ページ： 021202-021202-5 発行年： 2017年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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