文献
J-GLOBAL ID:201702268609575807
整理番号:17A1250314
順方向電流に及ぼす酸化後窒化の影響 SiO_2で保護された4H SiCメサp-nダイオードにおける電圧特性【Powered by NICT】
Effect of Postoxidation Nitridation on Forward Current-Voltage Characteristics in 4H-SiC Mesa p-n Diodes Passivated With SiO2
著者 (3件):
Asada Satoshi
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Kimoto Tsunenobu
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Suda Jun
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
7
ページ:
3016-3018
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)