文献
J-GLOBAL ID:201702268609831762
整理番号:17A1620652
GaNのSchottky障壁内のホッピング伝導と誘電緩和
Hopping Conductivity and Dielectric Relaxation in Schottky Barriers on GaN
著者 (9件):
BOCHKAREVA N. I.
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
VORONENKOV V. V.
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
GORBUNOV R. I.
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
VIRKO M. V.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
KOGOTKOV V. S.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
LEONIDOV A. A.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
VORONTSOV-VELYAMINOV P. N.
(St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS)
,
SHEREMET I. A.
(Financial Univ. under the Government of the Russian Federation, Moscow, RUS)
,
SHRETER Yu. G.
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
9
ページ:
1186-1193
発行年:
2017年09月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)