文献
J-GLOBAL ID:201702268637358294
整理番号:17A1221152
TiN/HfO2/TiN積層体における非ドープHfO2薄膜の強誘電性
Ferroelectricity of nondoped thin HfO2 films in TiN/HfO2/TiN stacks
著者 (7件):
NISHIMURA Tomonori
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
XU Lun
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIBAYAMA Shigehisa
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIBAYAMA Shigehisa
(Japan Soc. for the Promotion of Sci. (JSPS), Tokyo, JPN)
,
YAJIMA Takeaki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MIGITA Shinji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
8S2
ページ:
08PB01.1-08PB01.4
発行年:
2016年08月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)