文献
J-GLOBAL ID:201702268683191047
整理番号:17A1258274
プラズマ処理時のSi基板中の欠陥発生:モデル予測と特性評価技術【Powered by NICT】
Defect generation in Si substrates during plasma processing: Model prediction and characterization techniques
著者 (1件):
Eriguchi Koji
(Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto-daigaku Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8540, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IWJT
ページ:
69-72
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)