文献
J-GLOBAL ID:201702268698146425
整理番号:17A1398608
電気的にストレスを受けた酸化物中の電子のトラッピングとデトラッピングモデル【Powered by NICT】
Electron trapping/detrapping model in electrically stressed oxide
著者 (5件):
Wang Hongyi
(College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China)
,
Li Cong
(College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China)
,
Zhang Bingbing
(College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China)
,
Xu Shunqiang
(College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China)
,
Zheng Liming
(College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICOIP
ページ:
60-63
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)