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文献
J-GLOBAL ID：201702268735850066
整理番号：17A0062099
自己整合Al_2O_3ゲート誘電体を用いた優れた性能AlGaN/GaNフィンMOSHEMT【Powered by NICT】
Excellent-Performance AlGaN/GaN Fin-MOSHEMTs with Self-Aligned Al_2O_3 Gate Dielectric
Tan Xin
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Zhou Xingye
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Guo Hongyu
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Gu Guodong
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Wang Yuangang
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Song Xubo
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Yin Jiayun
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Lv Yuanjie
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Feng Zhihong
(Hebei Semiconductor Research Institute)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 33 号： 9 ページ： 098501-1-098501-4 発行年： 2016年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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