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文献
J-GLOBAL ID：201702268775425736
整理番号：17A0482510
プラスチック基板上に印刷したIn0.2Ga0.8As/GaAs/In0.2Ga0.8As三層ナノ膜により形成した屈曲性MOSコンデンサ
Bendable MOS capacitors formed with printed In0.2Ga0.8As/GaAs/In0.2Ga0.8As trilayer nanomembrane on plastic substrates
Liu Chen
(School of Microelectronics and Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
June Cho Sang
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, 3445 Engineering Hall, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
Hwan Jung Yei
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, 3445 Engineering Hall, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
Chang Tzu-Hsuan
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, 3445 Engineering Hall, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
Seo Jung-Hun
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, 3445 Engineering Hall, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
Mikael Solomon
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, 3445 Engineering Hall, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
Zhang Yuming
(School of Microelectronics and Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Zhang Yi-Men
(School of Microelectronics and Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Lu Hongliang
(School of Microelectronics and Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Li Guo Xin
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Mi Hongyi
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, 3445 Engineering Hall, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
Zhang Huilong
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, 3445 Engineering Hall, Madison, Wisconsin 53706, USA)
,
Ma Zhenqiang
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, 3445 Engineering Hall, Madison, Wisconsin 53706, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 13 ページ： 133505-133505-5 発行年： 2017年03月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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