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文献
J-GLOBAL ID：201702268797930443
整理番号：17A1554050
エピタキシャルGa_2O_3/Gaに基づく自己出力型深紫外光検出器:ZnOヘテロ接合【Powered by NICT】
A self-powered deep-ultraviolet photodetector based on an epitaxial Ga2O3/Ga:ZnO heterojunction
Wu Zhenping
(State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications & School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China. zhenpingwu@bupt.edu.cn whtang@bupt.edu.cn)
,
Jiao Lei
,
Wang Xiaolong
,
Guo Daoyou
,
Li Wenhao
,
Li Linghong
,
Huang Feng
,
Tang Weihua
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 34 ページ： 8688-8693 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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