文献
J-GLOBAL ID:201702268821820612
整理番号:17A1350199
Ga_2O_3トレンチMOS型Schottky障壁ダイオードの実証【Powered by NICT】
Demonstration of Ga2O3 trench MOS-type Schottky barrier diodes
著者 (7件):
Sasaki K.
(Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan)
,
Wakimoto D.
(Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan)
,
Thieu Q. T.
(Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan)
,
Koishikawa Y.
(Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan)
,
Kuramata A.
(Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan)
,
Higashiwaki M.
(National Institute ofinformation and Communications Technology, Koganei, Tokyo, 184-8795, Japan)
,
Yamakoshi S.
(Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)