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文献
J-GLOBAL ID：201702268833669452
整理番号：17A1138243
窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫
(産業技術総合研)
,
木内祐治
(産業技術総合研)
,
染谷満
(産業技術総合研)
,
岡本大
(筑波大)
,
原田信介
(産業技術総合研)
,
矢野裕司
(筑波大)
,
米澤喜幸
(産業技術総合研)
,
奥村元
(産業技術総合研)
資料名：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th ページ： ROMBUNNO.5a-A203-6 発行年： 2017年08月25日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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