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文献
J-GLOBAL ID：201702268901482854
整理番号：17A1359862
スニークパスとMLC能力に優れた免疫を特徴とする純CMOS論理14nm FinFETプラットフォーム上のフラッシュRRAMの最初の実証【Powered by NICT】
First demonstration of flash RRAM on pure CMOS logic 14nm FinFET platform featuring excellent immunity to sneak-path and MLC capability
Hsieh E. R.
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Kuo Y. C.
(Department of Mechatronic Engineering, National Taiwan Normal University, Taiwan)
,
Cheng C. H.
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Kuo J. L.
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Jiang M. R.
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Lin J. L.
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Cheng H. W.
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Chung Steve S.
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Liu C. H.
(Department of Mechatronic Engineering, National Taiwan Normal University, Taiwan)
,
Chen T. P.
(United Microelectronics Corporation (UMC), Taiwan)
,
Yeah Y. H.
(United Microelectronics Corporation (UMC), Taiwan)
,
Chen T. J.
(United Microelectronics Corporation (UMC), Taiwan)
,
Cheng Osbert
(United Microelectronics Corporation (UMC), Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： VLSI Technology ページ： T72-T73 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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