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文献
J-GLOBAL ID：201702268933801547
整理番号：17A0204252
sSi/Si(0.5)Ge(0.5)/sSOI量子井戸p-MOSFETに対するCoulomb散乱の研究【Powered by NICT】
Investigation of Coulomb scattering on sSi/Si_(0.5)Ge_(0.5)/sSOI quantum-well p-MOSFETs
Wen Jiao
(School of Materials Science and Engineering, Shanghai University)
,
Liu Qiang
(School of Materials Science and Engineering, Shanghai University)
,
Liu Chang
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Yize
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhang Bo
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Xue Zhongying
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Di Zengfeng
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Yu Wenjie
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhao Qingtai
(Peter Grunberg Institute 9, JARA-FIT, Forschungszentrum Julich)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 9 ページ： 094002-1-094002-4 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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