文献
J-GLOBAL ID:201702269023822568
整理番号:17A1355009
ミスト化学蒸着による立方晶(111)GGG基板上のεGa_2O_3薄膜のヘテロエピタキシャル成長【Powered by NICT】
Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition
著者 (4件):
Tahara Daisuke
(Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan)
,
Nishinaka Hiroyuki
(Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan)
,
Morimoto Shota
(Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan)
,
Yoshimoto Mashahiro
(Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IMFEDK
ページ:
48-49
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)