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文献
J-GLOBAL ID：201702269057368997
整理番号：17A1258635
高容積半導体製造におけるSNV欠陥率とウエハTATの低減【Powered by NICT】
Reducing SNV defect rates and wafer TAT in high volume semiconductor manufacturing
Fuchs Aviad
(Applied Materials, Inc. 3050 Bowers Avenue P.O. Box 58039 Santa Clara, CA 95054-3299, United States of America)
,
Pearl Haim
(Applied Materials, Inc. 3050 Bowers Avenue P.O. Box 58039 Santa Clara, CA 95054-3299, United States of America)
,
Miller Andrei
(Applied Materials, Inc. 3050 Bowers Avenue P.O. Box 58039 Santa Clara, CA 95054-3299, United States of America)
,
Shopen Ofer
(Applied Materials, Inc. 3050 Bowers Avenue P.O. Box 58039 Santa Clara, CA 95054-3299, United States of America)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： MIPRO ページ： 178-180 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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