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文献
J-GLOBAL ID：201702269120832346
整理番号：17A0399639
Nリッチ条件下でのN極性GaN(0001 )成長の過程におけるミスカットに依存する表面展開【Powered by NICT】
Miscut dependent surface evolution in the process of N-polar GaN ( 000 1 ) growth under N-rich condition
Krzyzewski Filip
(Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland)
,
Zaluska-Kotur Magdalena A.
(Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland)
,
Zaluska-Kotur Magdalena A.
(Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Card. Stefan Wyszynski University, ul Dewajtis 5, 01-815 Warsaw, Poland)
,
Turski Henryk
(Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences, Al. Prymasa Tysiaclecia 98, 01-424 Warsaw, Poland)
,
Sawicka Marta
(Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences, Al. Prymasa Tysiaclecia 98, 01-424 Warsaw, Poland)
,
Skierbiszewski Czeslaw
(Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences, Al. Prymasa Tysiaclecia 98, 01-424 Warsaw, Poland)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 457 ページ： 38-45 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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