文献
J-GLOBAL ID:201702269221159482
整理番号:17A1571288
無接合円筒サラウンディングゲート(JLCSG)MOSFETのための電位の解析モデルと性能研究【Powered by NICT】
Analytical model and performance investigation of electric potential for junctionless cylindrical surrounding gate (JLCSG) MOSFET
著者 (4件):
Abhinav
(Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad-211004, India)
,
Srivastava Manish
(Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad-211004, India)
,
Kumar Amrish
(Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad-211004, India)
,
Rai Sanjeev
(Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad-211004, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SPIN
ページ:
256-261
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)