文献
J-GLOBAL ID:201702269253493757
整理番号:17A0968226
多層3D MMIC技術を用いたGaAsベースpHEMTの製造前および製造後デバイス考察と特性評価
Device considerations and characterizations of pre and post fabricated GaAs based pHEMTs using multilayer 3D MMIC technology
著者 (6件):
ALIM Mohammad A
(Univ. Chittagong, BGD)
,
ALI Mayahsa M
(Univ. Information Technol. and Communications, Baghdad, IRQ)
,
HARIS Norshakila
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
HARIS Norshakila
(Universiti Kuala Lumpur, Perak, MYS)
,
KYABAGGU Peter B K
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
REZAZADEH Ali A
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
32
号:
5
ページ:
055003,1-9
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)