文献
J-GLOBAL ID:201702269283570205
整理番号:17A0537848
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの破壊電圧の最適化設計【Powered by NICT】
Optimization design on breakdown voltage of AIGaN/GaN high-electron mobility transistor
著者 (5件):
Liu Yang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Chai Changchun
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Shi Chunlei
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Fan Qingyang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Liu Yuqian
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
37
号:
12
ページ:
44-48
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)