文献
J-GLOBAL ID:201702269302849529
整理番号:17A1258607
エピタキシャル成長した半導体の格子欠陥のテラヘルツマルチスペクトルイメージング【Powered by NICT】
Terahertz multispectral imaging of epitaxially grown semiconductors’ lattice defects
著者 (1件):
Rahman Anis
(Applied Research & Photonics, Inc., 470 Friendship Road, Suite 10, Harrisburg, PA 17111, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
MIPRO
ページ:
45-50
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)